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              用途

              适用于制备导电薄膜,半导体薄膜、

              铁电薄膜、光学薄膜,高性能薄膜研究

              及新材料科学研究工作。其主要特点

              为功能强、镀膜质量稳定、重复性好、

              操作简便。

               

              主要技术参数

              1、镀膜室体积:500×500×600mm3,特殊规格可定做;

              2、极限真空度:6.7×10-5 Pa,恢复真空:从大气抽至6.7×10-4 Pa ≤40分钟);

              3、真空抽气系统:机械泵与复合分子泵组成;真空测量系统:复合数显真空计;

              4、蒸发源:电子束蒸发源:270°E型电子枪及高压电源,电子枪功率06KW可调;

                             电阻蒸发源:铜水冷电极4根,功率:3kW/10V两组;

              5、结构形式:立式前开门后置抽气系统;

              6、工件烘烤温度:室温~800可控可调(PID控温);

              7、旋转夹具:公转或行星公自转夹具。速度从 0r30r/min 无级可调;

              8、选配件:光学膜厚测量系统、石英晶振测厚仪、高压离子轰击、霍尔离子源、冷却水机组等;

              9、供电电源:三相AC380V,50Hz;整机功率22KW。

               

               
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