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              可开设的实验

              1、掌握射频磁控溅射法制膜的基本原理;

              2、了解磁控溅射镀膜仪的操作过程及使用范围;

              3、磁控溅射法制备金属膜、半导体膜、化合物膜、介质膜等薄膜。

               

              主要技术参数

                  1、溅射镀膜室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成;有效尺寸:Φ220×H230mm3;

                  2、溅射镀膜室本底真空:≤1Pa;溅射腔极限真空:6×10-1Pa;

                  3、溅射靶:Φ50mm,溅射靶台和溅射靶可调距离:2060mm;

                  4、基片加热温度可控范围:室温~300;

              5、射频源功率:500W,13.56MHz;

              6、气路系统:由两路转子流量计控制(可选配质量流量计);

                  7、真空系统:2XZ-4型旋片真空泵,抽气速率:4L/S,单相220V交流电源供电;

                  8、对过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应;ご胧;

                  9、供电电源:AC220V,50Hz,整机功率2KW。

               

               
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