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              概述:

                     本实验装置使用砷化镓(GaAs)霍尔传感器测

              量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不

              同的磁感应强度下的电阻大小?晒鄄獍氲继宓幕舳

              效应和磁阻效应两种物理规律,及其作为磁测量不同

              应用,具有研究性和相关性的实验特点,适合于基础

              物理实验和综合性物理实验。

              主要技术参数及性能:

                     1、IM:励磁电流,直流0~900mA连续可调,3位半数显;
                     2
              、Is:传感器工作电流,直流0~1mA连续可调,3位半数显;
                     3
              、数字式磁场强度和磁阻电压测量:磁场强度0~999mT,准确率1%;磁阻电压0~2000mV,准确率为0.5%。

               

               
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